特許
J-GLOBAL ID：200903022383659140

化合物半導体装置及びその特性の制御方法

発明者：
山本 伸介

山本 伸介 について


出願人/特許権者：
沖電気工業株式会社

沖電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 大西 健治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-073396
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270461
出願日： 1997年03月26日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】化合物半導体装置及びその特性の制御方法、特に閾値電圧又は抵抗値を所定のトランジスタ間、又は抵抗素子間で均一にできる構造及び制御方法に関する。【解決手段】FET素子101は、GaAs基板11上に形成される第2のソース用オーミック電極17b及び第2のドレイン用オーミック電極18bとを有する。さらに、モニター用FET素子100は、n型活性層13aの面積から前記第1のソース用オーミック電極17a及び第1のドレイン用オーミック電極18aの総面積を差し引いた面積と、ソース用オーミック電極17aとドレイン用オーミック電極18aの総面積との第1の面積比を有し、本パターンのFET素子101は、n型活性層13bからソースードレインオーミック電極17b、18bの総面積を差し引いた面積と、ソース用オーミック電極17bとドレイン用オーミック電極18bの総面積との第2の面積比を有しており、この第2の面積比を先の第1の面積比と一定にしている。
請求項（抜粋）：
半絶縁性基体上に形成される第1の活性層と、この第1の活性層上に形成される第1のソース用オーミック電極及び第1のドレイン用オーミック電極とを有する第1の電界効果型トランジスタと、前記半絶縁性基体上に形成され、前記活性層から前記電極の総面積を差し引いた面積と前記電極の総面積との面積比を、前記第1の電界効果型トランジスタと一定である第2の電界効果型トランジスタとを有することを特徴とする化合物半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/812
引用特許：
審査官引用 (9件)
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