特許

J-GLOBAL ID：200903022402697660

高密度配線基板、その製造方法、及びそれを用いた電子装置

発明者： 御田 護 ,  村上 元
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 松本 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-369107
公開番号（公開出願番号）：特開2000-013029
出願日： 1998年12月25日
公開日（公表日）： 2000年01月14日
要約：

【要約】【課題】高密度配線基板におけるバンプの接続抵抗を小さくすることと、バンプを形成するビアホールを小さくして、配線密度を大きくすること。【解決手段】複数枚の配線基板を各々電気的に接続して一枚の配線基板にする多層配線構造を有し、半導体パッケージ等の半導体装置を搭載する高密度配線基板において、前記複数枚の配線基板は、それぞれ絶縁フィルム上に形成された配線パターンと他の配線基板と電気的に接続する接続ランドとを備え、他の配線基板と接続するためのビアホールを前記接続ランドの直下の絶縁フィルムに備え、前記各配線基板の接続ランド間を電気的に接続する導電体の線状突起からなる層間接続用突起をビアホール内に備える。

請求項（抜粋）：

複数枚の配線基板を各々電気的に接続して一枚の配線基板にする多層配線構造を有し、半導体パッケージ等の半導体装置を搭載する高密度配線基板において、前記複数枚の配線基板は、それぞれ絶縁フィルム上に形成された配線パターンと他の配線基板と電気的に接続する接続ランドとを備え、他の配線基板と接続するためのビアホールを前記接続ランドの直下の絶縁フィルムに備え、前記各配線基板の接続ランド間を電気的に接続する導電体の線状突起からなる層間接続用突起をビアホール内に備えることを特徴とする高密度配線基板。

IPC (3件)：

H05K 3/46 ,  H01L 23/12 ,  H05K 1/11

FI (3件)：

H05K 3/46 N ,  H05K 1/11 L ,  H01L 23/12 N

Fターム (50件)：

5E317AA24 ,  5E317BB02 ,  5E317BB03 ,  5E317BB11 ,  5E317BB12 ,  5E317BB13 ,  5E317BB14 ,  5E317BB15 ,  5E317CC08 ,  5E317CC13 ,  5E317CC25 ,  5E317CC31 ,  5E317CD32 ,  5E317GG14 ,  5E346AA02 ,  5E346AA05 ,  5E346AA12 ,  5E346AA15 ,  5E346AA16 ,  5E346AA22 ,  5E346AA43 ,  5E346BB01 ,  5E346BB15 ,  5E346BB16 ,  5E346BB20 ,  5E346CC04 ,  5E346CC08 ,  5E346CC09 ,  5E346CC10 ,  5E346CC12 ,  5E346CC14 ,  5E346CC32 ,  5E346CC33 ,  5E346CC38 ,  5E346CC40 ,  5E346CC41 ,  5E346DD02 ,  5E346EE02 ,  5E346EE41 ,  5E346FF33 ,  5E346FF35 ,  5E346FF36 ,  5E346FF41 ,  5E346GG01 ,  5E346GG15 ,  5E346GG17 ,  5E346GG22 ,  5E346GG28 ,  5E346HH25 ,  5E346HH26

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 薄膜多層配線基板およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-063146   出願人：株式会社日立製作所
• 表面実装用基板およびこれを用いた半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-252239   出願人：日立電線株式会社
• 積層体の熱処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-319057   出願人：株式会社クラレ