特許
J-GLOBAL ID：200903022408336308

窒化物膜の製造方法及び窒化物構造物

発明者：
柳 在 垠

柳 在 垠 について

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安 亨 洙

安 亨 洙 について

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ヤン,ミン

ヤン,ミン について

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小池 正好

小池 正好 について


出願人/特許権者：
三星電機株式会社

三星電機株式会社 について


代理人 (1件)： 高村 順
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-119379
公開番号（公開出願番号）：特開2007-300120
出願日： 2007年04月27日
公開日（公表日）： 2007年11月15日
要約：
【課題】充分な厚さを有し、かつ、高い電気伝導度を有する窒化物膜の製造方法及び窒化物構造物を提供する。【解決手段】ハイドライド気相エピタキシャル法(HVPE)を利用した窒化物膜の製造方法において、ガス供給方向から順次位置した外側反応室と内側反応室に不純物が含有された少なくとも1つのIII族金属ソースと基板を順次配置し、前記各反応室を成長温度に加熱するステップと、前記外側反応室に塩化水素ガスとキャリアガスを供給することによって、金属塩化物が形成されるように前記III族金属ソースと反応させ、前記金属塩化物を前記基板に搬送させるステップと、前記搬送させた金属塩化物を前記内側反応室に供給される窒素ソースガスと反応させることによって、前記基板上に前記不純物がドープされた窒化物膜を形成するステップと、を含む窒化物膜の製造方法を提供する。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
ハイドライド気相エピタキシャル法(HVPE)を利用した窒化物膜の製造方法において、 ガス供給方向から順次位置した外側反応室と内側反応室に不純物が含有された少なくとも1つのIII族金属ソースと基板を順次配置し、前記各反応室を成長温度に加熱するステップと、 前記外側反応室に塩化水素ガスとキャリアガスを供給することによって、金属塩化物が形成されるように前記III族金属ソースと反応させ、前記金属塩化物を前記基板に搬送させるステップと、 前記搬送させた金属塩化物を前記内側反応室に供給される窒素ソースガスと反応させることによって、前記基板上に前記不純物がドープされた窒化物膜を形成するステップと、 を含む窒化物膜の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/34 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323
FI (4件)：
H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  H01L33/00 C ,  H01S5/323 610
Fターム (27件)：
4K030AA03 ,  4K030AA13 ,  4K030AA18 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA11 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030CA05 ,  4K030EA01 ,  4K030FA10 ,  4K030LA14 ,  4K030LA18 ,  5F041CA40 ,  5F041CA64 ,  5F045AA03 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045DA57 ,  5F045DQ06 ,  5F045EE15 ,  5F173AH04 ,  5F173AP04
引用特許：
審査官引用 (3件)

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