特許
J-GLOBAL ID：200903095757006576
III族窒化物自立基板およびそれを用いた半導体素子ならびにそれらの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
速水 進治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-360030
公開番号（公開出願番号）：特開2004-193371
出願日： 2002年12月11日
公開日（公表日）： 2004年07月08日
要約：
【課題】大面積の低転位領域を有するIII族窒化物自立基板を提供する。【解決手段】サファイア基板1000上にGaN膜1002が設け、その上に、マスク幅の異なる複数のマスク1003を形成する。GaN膜1002の表面からマスク1003の開口部を介して厚膜のGaN層1004が成長させ、結晶成長用基板とする。GaN層1004は、マスク1003の開口部から成長した小ファセット構造1007と、小ファセット構造1007が合体することにより形成される巨大ファセット構造1008とを含む。GaN層1004には、図中矢線で示した多くの転位が含まれており、これらの転位は、小ファセット構造1007および巨大ファセット構造1008によって転位の進行方向が曲げられ、この結果、GaN層1004表面に到達する転位1006は、GaN膜1002表面付近に存在する転位よりも大幅に低減される。【選択図】 図12
請求項（抜粋）：
III族窒化物半導体層を含む自立基板であって、基板水平面に対して斜めに位置するファセット面を側面とするファセット構造を含み、該ファセット構造を覆うように前記III族窒化物半導体層が形成されていることを特徴とする自立基板。
IPC (3件)：
H01L21/205
, C30B29/38
, H01S5/323
H01L21/205
, C30B29/38 D
, H01S5/323 610
4G077AA03
, 4G077BE15
, 4G077DB01
, 4G077EE07
, 4G077FJ03
, 4G077TB02
, 4G077TC12
, 4G077TC16
, 4G077TC17
, 4G077TK11
, 5F045AA04
, 5F045AB14
, 5F045DA67
, 5F045DB01
, 5F045DB04
, 5F073AA04
, 5F073AA45
, 5F073AA74
, 5F073CA07
, 5F073CB05
, 5F073CB07
, 5F073DA05
, 5F073DA35
, 5F073EA24
