特許
J-GLOBAL ID：200903022553843129

絶縁膜の形成方法及び半導体装置の製造方法

発明者：
江利口 浩二

江利口 浩二 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 前田 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-266693
公開番号（公開出願番号）：特開2002-314074
出願日： 2001年09月04日
公開日（公表日）： 2002年10月25日
要約：
【要約】【課題】 半導体基板との間の界面状態の良好な,かつリーク特性の良好な絶縁膜の形成方法及び半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 イオン注入などによる膜への原子の注入と熱処理とを利用して高誘電体膜を形成する。例えば、シリコン基板101の上に熱酸化膜であるSiO2 膜102を形成した後、プラズマ105からZrイオン(Zr+ )をSiO2膜102内に注入する。その後、SiO2 膜102及びZr注入層103のアニール処理を行なうことにより、Zr注入層103内において注入されたZrが拡散して、SiO2 膜102及びZr注入層103全体が、Zr-Si-O(シリケート)からなる比誘電率の高い高誘電体膜106に変化する。この高誘電体膜106をMISFETのゲート絶縁膜として用いることにより、ゲートリーク特性の良好なMISFETが得られる。
請求項（抜粋）：
半導体基板の表面領域に、少なくとも酸素を導入して初期絶縁膜を形成する工程(a)と、上記初期絶縁膜の少なくとも一部に、少なくとも1種類の金属を導入する工程(b)と、上記金属を上記初期絶縁膜内で拡散させるための熱処理を行なって、上記半導体基板の少なくとも一部の上に、上記初期絶縁膜よりも比誘電率の大きい少なくとも1つの高誘電体膜を形成する工程(c)とを含む絶縁膜の形成方法。
IPC (4件)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088
FI (4件)：
H01L 21/316 P ,  H01L 21/316 S ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 27/08 102 C
Fターム (37件)：
5F048AA01 ,  5F048AA07 ,  5F048AB03 ,  5F048AC01 ,  5F048BA01 ,  5F048BB05 ,  5F048BB11 ,  5F048BB16 ,  5F048BG14 ,  5F058BD01 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BF12 ,  5F058BF55 ,  5F058BF62 ,  5F058BH01 ,  5F140AA24 ,  5F140AA39 ,  5F140AB01 ,  5F140BA01 ,  5F140BD01 ,  5F140BD05 ,  5F140BD09 ,  5F140BD13 ,  5F140BE02 ,  5F140BE05 ,  5F140BE07 ,  5F140BE08 ,  5F140BE09 ,  5F140BE16 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BG08 ,  5F140BG28 ,  5F140BH15 ,  5F140BK02 ,  5F140BK21
引用特許：
審査官引用 (8件)
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