特許
J-GLOBAL ID：200903022560199308
発光素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
長谷川 芳樹
, 黒木 義樹
, 三上 敬史
, 石坂 泰紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-066293
公開番号（公開出願番号）：特開2009-224136
出願日： 2008年03月14日
公開日（公表日）： 2009年10月01日
要約：
【課題】 ドナー・アクセプター対発光による面発光を直流駆動によって十分に得ることができるとともに、発光輝度が低下しにくい発光素子を提供すること。【解決手段】 発光素子31は、一対の電極2,6と、電極2,6間に配置された、ドナー・アクセプター対発光機能を有する発光層4と、電極2と発光層4との間に配置された、p型半導体酸化物層3と、を備え、p型半導体酸化物層3は、O-Cu-Oのダンベル構造を有する化合物を一種以上含んでなる酸化物層、又は、MOx(ただし、MはNi、Ga、Moのうちの一種類の金属を示し、xは金属原子と酸素原子との個数比を示す。)で表される化合物を一種以上含んでなる酸化物層を有することを特徴とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
一対の電極間と、
前記電極間に配置された、ドナー・アクセプター対発光機能を有する発光層と、
前記電極の一方と前記発光層との間に配置された、p型半導体酸化物層と、を備え、
前記p型半導体酸化物層は、O-Cu-Oのダンベル構造を有する化合物を一種以上含んでなる酸化物層、又は、MOx(ただし、MはGa、Ni、Moのうちの一種類の金属を示し、xは金属原子と酸素原子との個数比を示す。)で表される化合物を一種以上含んでなる酸化物層を有する、発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H05B33/14 Z
, H05B33/22 C
3K107AA06
, 3K107AA07
, 3K107BB02
, 3K107CC02
, 3K107CC04
, 3K107CC21
, 3K107CC42
, 3K107CC45
, 3K107DD55
, 3K107DD73
, 3K107DD84
, 3K107DD85
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (8件)
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