特許

J-GLOBAL ID：200903048661629299

III族窒化物半導体発光素子

発明者： 宇田川 隆 ,  三木 久幸
出願人/特許権者： 昭和電工株式会社
代理人 (1件)： 矢口 平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-227075
公開番号（公開出願番号）：特開2001-053338
出願日： 1999年08月11日
公開日（公表日）： 2001年02月23日
要約：

【要約】【課題】III族窒化物半導体からなる発光層を含むpn接合型ヘテロ接合構造の発光部を具備したIII族窒化物半導体発光素子にあって、形成するのが煩雑なp形III族窒化物半導体層に代替して、簡便に形成できる低抵抗のp形導電層をp形障壁層として、pn接合型ヘテロ接合構造の発光部を構成する。【解決手段】p形伝導を呈する導電性酸化物材料からなるp形障壁層を利用してpn接合型ヘテロ構造の発光部を構成する。p形の透明酸化物材料から構成されるp形障壁層は、p形障壁層及びp形ウィンドウ層として兼用できるので、高輝度のIII族窒化物半導体発光素子が提供できる。

請求項（抜粋）：

発光部として、n形のIII族窒化物半導体からなる障壁層と、インジウム含有III族窒化物半導体からなる発光層と、酸化物からなるp形層とを含むことを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子。

IPC (3件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/32

FI (3件)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/32

Fターム (43件)：

5F041AA42 ,  5F041CA03 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F045AA04 ,  5F045AA18 ,  5F045AA19 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AB40 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC12 ,  5F045AC16 ,  5F045AC19 ,  5F045AD04 ,  5F045AD05 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF05 ,  5F045AF09 ,  5F045BB16 ,  5F045CA09 ,  5F045CA10 ,  5F045CA11 ,  5F045CA12 ,  5F045DA51 ,  5F045DA52 ,  5F045DA53 ,  5F045DA54 ,  5F045DA55 ,  5F045DA62 ,  5F045DA63 ,  5F045DA64 ,  5F073CA07 ,  5F073EA05 ,  5F073EA24

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 低抵抗p型窒化ガリウム系化合物半導体の気相成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-007298   出願人：日本電気株式会社
• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-305668   出願人：株式会社ジャパンエナジー
• 短波長発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-208486   出願人：昭和電工株式会社