化学的・機械的な研磨方法及びその装置並びに半導体基板の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高橋明夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-326860
公開番号（公開出願番号）：特開平9-167745
出願日： 1995年12月15日
公開日（公表日）： 1997年06月24日
要約：

【要約】【課題】本発明の課題は、半導体装置等の高信頼化及び高集積化を図ることを提供することにある。【解決手段】本発明は、被加工物の研磨圧力分布を制御して被加工物(層間絶縁膜)の厚さを均一にすることができる化学的・機械的な研磨方法及びその装置並びに半導体基板の製造方法である。

請求項（抜粋）：

基板を支持するチャックの支持面の形状により研磨圧力を制御して上記基板の表面に対して化学的・機械的な研磨加工を行うことを特徴とする化学的・機械的な研磨加工方法。

IPC (4件)：

H01L 21/304 321 , H01L 21/304 , B24B 37/00 , B24B 49/16

FI (4件)：

H01L 21/304 321 M , H01L 21/304 321 S , B24B 37/00 B , B24B 49/16

引用特許：

審査官引用 (5件)

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