特許

J-GLOBAL ID：200903022626271897

酸化膜の形成方法及びその装置

発明者： 斉藤 茂 ,  西口 哲也
出願人/特許権者： 株式会社明電舎
代理人 (2件)： 橋本 剛 ,  鵜澤 英久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-093362
公開番号（公開出願番号）：特開2008-251956
出願日： 2007年03月30日
公開日（公表日）： 2008年10月16日
要約：

【課題】大型サイズの基板に酸化膜を均一に形成すること。【解決手段】基板7を格納すると共にオゾン含有ガスが供給される処理炉2と、基板7に紫外光を照射する光源5と、基板7を加熱するための光源6とを備える。前記オゾン含有ガスは、基板7が加熱されると共に光源5から紫外光領域の光が照射された状態で、処理炉2の内圧が10Pa以下のもとで供給される。処理炉2内には基板7を保持するサセプター26が具備される。光源6は基板7の温度が100°C〜300°Cの範囲となるようにサセプター26を加熱する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板を加熱すると共に前記基板に紫外光領域の光を照射しながら10Pa以下の圧力のもとでオゾン含有ガスを前記基板に供給して前記基板に酸化膜を形成すること を特徴とする酸化膜の形成方法。

IPC (1件)：

H01L 21/316

FI (1件)：

H01L21/316 S

Fターム (13件)：

5F058BA06 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BD04 ,  5F058BF54 ,  5F058BF62 ,  5F058BF78 ,  5F058BF80 ,  5F058BG01 ,  5F058BG02 ,  5F058BG03 ,  5F058BG10 ,  5F058BJ01

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 絶縁膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-087478   出願人：佐々木亘, 黒澤宏, 横谷篤至, 宮崎沖電気株式会社, 清本鐵工株式会社, 宮崎ダイシンキャノン株式会社, 沖電気工業株式会社
• 薄膜状半導体装置の作製方法。
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-191934   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

審査官引用 (2件)

• 光励起CVD方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-353337   出願人：バブコック日立株式会社
• シリコンウェハを低温酸化する方法およびその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-057849   出願人：シャープ株式会社