特許
J-GLOBAL ID：200903068787777332

シリコンウェハを低温酸化する方法およびその装置

発明者：
ヨシ オノ

ヨシ オノ について

, 
ジョン-ジャン リー

ジョン-ジャン リー について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (3件)： 山本 秀策 ,  安村 高明 ,  大塩 竹志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-057849
公開番号（公開出願番号）：特開2004-015049
出願日： 2003年03月04日
公開日（公表日）： 2004年01月15日
要約：
【課題】600°C未満の温度でシリコン基板上に高品質な酸化物層を形成すること。【解決手段】本発明によるシリコンウェハを低温酸化する方法は、真空チャンバにシリコンウェハを配置する工程と、約室温〜350°Cの範囲の温度でシリコンウェハを維持する工程と、酸化性ガスを真空チャンバに導入する工程であって、酸化性ガスは、O2およびO3からなる酸化性ガス群から選択される、工程と、エキシマレーザが発する光を用いて、酸化性ガスおよびシリコンウェハを照射して、シリコンウェハ上に反応性酸素種を生成し、酸化物層を形成する工程とを包含する。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
シリコンウェハを低温酸化する方法であって、 真空チャンバに該シリコンウェハを配置する工程と、 約室温〜350°Cの範囲の温度で該シリコンウェハを維持する工程と、 酸化性ガスを該真空チャンバに導入する工程であって、該酸化性ガスは、O2およびO3からなる酸化性ガス群から選択される、工程と、 エキシマレーザが発する光を用いて、該酸化性ガスおよび該シリコンウェハを照射して、該シリコンウェハ上に反応性酸素種を生成し、酸化物層を形成する工程と を包含する、方法。
IPC (1件)：
H01L21/316
FI (1件)：
H01L21/316 S
Fターム (7件)：
5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BD04 ,  5F058BF54 ,  5F058BF77 ,  5F058BH04 ,  5F058BJ01
引用特許：
出願人引用 (19件)
全件表示
審査官引用 (19件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM