半導体加工片の処理方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-280775
公開番号（公開出願番号）：特開平8-213390
出願日： 1995年10月27日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：

【要約】【課題】半導体デバイスの製造に適用する簡単でコストの安い表面の平滑方法を提供する。【解決手段】半導体加工片、例えば、絶縁体、導体、または半導体の多層を持つ基板20を用意する。これらの層はトポグラフィー、高さおよび幅を変えることが出来る。例えば、ラミネーション(積層)法をこれらの層の形成に使用することが出来、この場合、準備された薄いフィルムが真空の中で基板の上に拡げられる。表面材料の層26は上面26aと下面26bとを持つ。表面材料の特定の層の上面を平らにするために、加圧手段30による物理的圧力が表面材料の層26の上面26aに掛けられる。この工程によって表面材料層26の上面26aが平らにされる。表面材料層は物理的圧力を掛けている間加熱することが出来る。

請求項（抜粋）：

半導体加工片に表面材料層を形成する手順と、上記表面材料層の上面を加圧手段と接触させて上記表面材料層の上面を平らにすることによって上記表面材料層の上面を平滑化する手順とを具備したことを特徴とする半導体加工片の処理方法。

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開昭62-046533
多層配線基板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-234476 出願人：株式会社日立製作所
特開平1-099216

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