特許

J-GLOBAL ID：200903022692272160

III族窒化物半導体の製造方法

発明者： 小早川 真人 ,  三木 久幸
出願人/特許権者： 昭和電工株式会社
代理人 (1件)： 寺田 實
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-261509
公開番号（公開出願番号）：特開2006-108656
出願日： 2005年09月09日
公開日（公表日）： 2006年04月20日
要約：

【課題】III族窒化物半導体、特に基板上に結晶性のよいAlN等のバッファ層を形成することにより、その上に積層されるGaN等の結晶性の優れた半導体を得ること【解決手段】反応容器内に基板を設置し、該基板上にIII族窒化物半導体を形成するIII族窒化物半導体の製造方法において、反応容器内に固体の窒素化合物を存在させ、その固体の窒素化合物をIII族窒化物半導体の窒素源とし、その反応容器内にIII族元素源原料ガスを供給し、前記窒素とIII族元素よりIII族窒化物半導体を製造する。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

反応容器内に基板を設置し、該基板上にIII族窒化物半導体を形成するIII族窒化物半導体の製造方法において、反応容器内に固体の窒素化合物を存在させ、その固体の窒素化合物をIII族窒化物半導体の窒素源とし、その反応容器内にIII族元素源原料ガスを供給することを特徴とするIII族窒化物半導体の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/02

FI (3件)：

H01L21/205 ,  H01L33/00 C ,  H01S5/02

Fターム (34件)：

5F041AA40 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AE21 ,  5F045AE23 ,  5F045AE25 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045CA09 ,  5F045DA53 ,  5F045EE01 ,  5F045EE12 ,  5F045EE20 ,  5F045GB11 ,  5F173AG12 ,  5F173AH22 ,  5F173AH44 ,  5F173AP05 ,  5F173AQ11 ,  5F173AQ12 ,  5F173AR82

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 特許第3026087号公報
  
• 特開平4-297023号公報
  
• 半導体発光素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-217875   出願人：株式会社東芝
• III族窒化物半導体結晶、その製造方法、III族窒化物半導体エピタキシャルウェーハ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-038841   出願人：昭和電工株式会社

審査官引用 (2件)

• 窒化物系化合物半導体結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-162605   出願人：シャープ株式会社
• 結晶成長装置及び結晶成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-186963   出願人：株式会社リコー