集束イオンビーム加工装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井島藤治 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-124979
公開番号（公開出願番号）：特開平9-306411
出願日： 1996年05月20日
公開日（公表日）： 1997年11月28日
要約：

【要約】【課題】テーパー角を小さくして垂直断面の加工を行うことができる集束イオンビーム加工装置を実現する。【解決手段】イオンビームの2次元走査はラスター走査されるが、このときの加工断面垂直方向の走査間隔dは、入力装置11に任意にセットできるので、加工目的に応じた最適な走査間隔を指定することができる。また、入力装置11に所望のプローブ電流を指定すると、制御装置9は、記憶されているプローブ電流と走査間隔との関係から、指定したプローブ電流に最適な走査間隔を読みだし、それを走査回路10に供給して走査信号の走査間隔を最適なものとする。更に、走査回路10からの走査信号は、走査領域の端部である加工断面の垂直な方向における走査間隔は、加工断面に遠い領域では小さくし、加工断面に近い領域では大きくすることができる。

請求項（抜粋）：

イオンビーム源と、イオンビーム源からのイオンビームを試料上に細く集束するための集束レンズと、イオンビームを試料上で2次元的に走査するための偏向器と、偏向器へ2次元走査信号を供給するための走査回路とを備えており、走査回路から偏向器へ供給する走査信号の加工断面走査方向における走査間隔を任意に調整できるように構成した集束イオンビーム加工装置。

IPC (4件)：

H01J 37/30 , G01N 1/28 , G01N 1/32 , H01J 37/20

FI (4件)：

H01J 37/30 Z , G01N 1/32 B , H01J 37/20 F , G01N 1/28 G

引用特許：

審査官引用 (31件)

荷電粒子ビーム加工方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-108858 出願人：日本電子株式会社
集束イオンビーム装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-093595 出願人：株式会社島津製作所
特開平1-095457

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