特許

J-GLOBAL ID：200903022743889273

測定装置

発明者： 津村 直希 ,  福島 一城
出願人/特許権者： 株式会社栃木ニコン ,  株式会社ニコン
代理人 (1件)： 四宮 通
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-325264
公開番号（公開出願番号）：特開2006-133178
出願日： 2004年11月09日
公開日（公表日）： 2006年05月25日
要約：

【課題】 試料の持つ厚みと屈折率に起因する測定誤差を低減する。【解決手段】 テラヘルツ光発生器3から発生したテラヘルツパルス光L4は、放物面鏡9及び集光レンズ10からなる第1の集光光学系により集光される。この集光位置付近に試料100が配置される。第1の集光光学系により集光された後に発散光束となったテラヘルツパルス光L5は、集光レンズ11及び放物面鏡12からなる第2の集光光学系によりテラヘルツ光検出器6に集光される。集光レンズ11の光軸方向位置は、ステージ13により調整し得る。制御・演算処理部7は、試料100を透過したテラヘルツパルス光L5がテラヘルツ光検出器6に合焦するようにステージ13を制御する。【選択図】 図4

請求項（抜粋）：

テラヘルツパルス光を発生するテラヘルツ光発生器と、テラヘルツパルス光を検出するテラヘルツ光検出器と、前記テラヘルツ光発生器から発生したテラヘルツパルス光を集光させる第1の集光光学系と、前記第1の集光光学系により集光された後に発散するテラヘルツパルス光を前記テラヘルツ光検出器に集光させる第2の集光光学系と、を備え、試料が前記第1の集光光学系による前記テラヘルツパルス光の集光位置付近に配置されて、前記試料を透過したテラヘルツパルス光が前記テラヘルツ光検出器により検出される測定装置であって、 前記第1及び第2の集光光学系のうちの少なくとも一方の集光光学系が、正又は負の屈折力を有する少なくとも1つの光学素子を含み、 前記少なくとも1つの光学素子の光軸方向位置を調整する位置調整機構を備えたことを特徴とする測定装置。

IPC (1件)：

G01N 21/35

FI (1件)：

G01N21/35 Z

Fターム (13件)：

2G059AA02 ,  2G059BB08 ,  2G059EE01 ,  2G059EE10 ,  2G059GG08 ,  2G059HH01 ,  2G059JJ11 ,  2G059JJ14 ,  2G059JJ22 ,  2G059KK10 ,  2G059LL01 ,  2G059MM01 ,  2G059NN06

引用特許：

出願人引用 (2件)

• テラヘルツ光等の検出方法及び装置、並びに、これを用いたテラヘルツ光装置及びイメージ化装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-269621   出願人：独立行政法人通信総合研究所, 株式会社栃木ニコン, 株式会社ニコン
• 分光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-379687   出願人：株式会社栃木ニコン, 株式会社ニコン

審査官引用 (2件)

• 半導体の電気特性評価装置および電気特性評価方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-282497   出願人：株式会社栃木ニコン, 株式会社ニコン
• ミリ波イメージングシステム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-229132   出願人：日本電信電話株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• “Double-Slot Antennas on Extended Hemispherical and Elliptical Silicon Dielectric Lenses”