特許
J-GLOBAL ID：200903022775247788
断面試料作成システム及び断面試料作成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
松尾 憲一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-268424
公開番号（公開出願番号）：特開2009-097934
出願日： 2007年10月15日
公開日（公表日）： 2009年05月07日
要約：
【課題】イオンミリング法によるSiP型半導体パッケージでの断面試料を作成するために光学顕微鏡では観察できない試料内部構造中の所望の断面を正確に得ることができる断面作成方法及び作成システムを提供する。【解決手段】不透明な半導体パッケージを加工して、当該半導体パッケージの所望の部位の断面を作成する断面試料作成方法において、試料内部観察手段により半導体パッケージの内部観察画像を取得する試料内部取得工程と、試料表面観察手段により半導体パッケージの表面観察画像を取得する表面画像取得工程と、内部観察画像と表面観察画像とを表示部に表示する画像表示工程と、表示部に内部観察画像と表面観察画像とを表示させて、イオンミリングによる半導体パッケージの断面加工を行う断面加工工程とを有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
試料としての不透明な構造体を加工して、当該構造体の所望の部位の断面を作成する断面試料作成方法において、
試料内部観察手段により前記構造体の内部観察画像を取得する試料内部取得工程と、
試料表面観察手段により前記構造体の表面観察画像を取得する表面画像取得工程と、
前記内部観察画像と前記表面観察画像とを表示部に表示する画像表示工程と、
前記表示部に前記内部観察画像と前記表面観察画像とを表示させて、イオンミリングによる前記構造体の断面加工を行う断面加工工程と、を有することを特徴とする断面試料作成方法。
IPC (3件)：
G01N 1/32
, G01N 23/04
, H01J 37/22
G01N1/32
, G01N23/04
, H01J37/22 502H
, H01J37/22 502C
2G001AA01
, 2G001AA05
, 2G001BA06
, 2G001BA11
, 2G001CA01
, 2G001HA13
, 2G001LA11
, 2G001RA03
, 2G001RA04
, 2G052AA13
, 2G052AC21
, 2G052AD12
, 2G052AD32
, 2G052AD52
, 2G052BA02
, 2G052BA15
, 2G052EC18
, 2G052GA32
, 2G052GA33
, 2G052GA34
出願人引用 (5件)
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複合型顕微鏡
公報種別：公開公報
出願番号：特願2004-231334
出願人：株式会社島津製作所
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試料作製装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願2003-197693
出願人：日本電子エンジニアリング株式会社
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特開昭58-024835
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審査官引用 (2件)
-
複合型顕微鏡
公報種別：公開公報
出願番号：特願2004-231334
出願人：株式会社島津製作所
-
試料作製装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願2003-197693
出願人：日本電子エンジニアリング株式会社
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