特許
J-GLOBAL ID：200903022776628009

薄膜形成装置

発明者：
水野 茂

水野 茂 について


出願人/特許権者：
アネルバ株式会社

アネルバ株式会社 について


代理人 (1件)： 田宮 寛祉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-321144
公開番号（公開出願番号）：特開平10-147880
出願日： 1996年11月15日
公開日（公表日）： 1998年06月02日
要約：
【要約】【課題】 反応ガス導入部の周囲のデッドスペースで反応ガスの循環流や滞留を生じない薄膜形成装置を提供する。【解決手段】 反応ガス導入部13と基板保持体12を備えた反応容器11を有し、基板保持体上の基板23に対して反応ガス導入部から反応ガスを導入し、反応ガス導入部に高周波電力を供給してプラズマを生成し反応ガスを励起させ化学反応により基板に薄膜を堆積する薄膜形成装置であり、反応ガス導入部の周囲のデッドスペースにパージガス等のガスの流れを作るガス導入部27,29,30,31 を設けた。このガスの流れにより、デッドスペースに滞留しやすい反応ガス等も併せて押し流され、反応ガスの循環流や滞留の発生が防止される。
請求項（抜粋）：
反応ガス導入部と基板保持体を備えた反応容器を有し、前記基板保持体の上に配置された基板に対して前記反応ガス導入部から反応ガスを導入し、前記反応ガス導入部に高周波電力を供給して前記反応ガス導入部と前記基板保持体との間で反応ガスを励起させ前記基板に薄膜を堆積する薄膜形成装置において、前記反応ガス導入部の周囲にガスの流れを作るガス導入部を設けたことを特徴とする薄膜形成装置。
IPC (4件)：
C23C 16/50 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285
FI (4件)：
C23C 16/50 ,  C23C 16/44 D ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 C
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM