特許
J-GLOBAL ID：200903022844623070
パワー半導体装置
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井上 学
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-190869
公開番号（公開出願番号）：特開2007-012831
出願日： 2005年06月30日
公開日（公表日）： 2007年01月18日
要約：
【課題】 金属ワイヤと半導体素子間の接合長寿命化と絶縁基板の絶縁耐量を向上したパワー半導体装置を提供すること。【解決手段】 本発明のパワー半導体装置では、絶縁基板で金属回路を接合していない沿面部分と半導体素子と金属ワイヤとの接合界面部分にモジュール全体の絶縁を確保するために充填した樹脂とに比べ(1)膨張係数が小さく、(2)ヤング率が大きく、(3)絶縁耐量が高い電気絶縁性樹脂をコーティングし、コーティングした樹脂の厚さを、ワイヤの断面方向でコーティング樹脂の変曲点が、ワイヤの断面高さに対して1/4以下になる形状にした。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
底面に配置した金属基板と、側面部と上面部とを覆う有機樹脂部材と、前記金属基板に第一の金属回路箔を介して一方の面を接合した絶縁基板と、該絶縁基板の他方の面に第二の金属回路箔を介して接合した半導体素子とを備えたパワー半導体装置において、
該パワー半導体装置が、前記絶縁基板の他方の面に第三の金属回路箔を配置してあり、
該第三の金属回路箔と前記半導体素子とが金属ワイヤで接続されており、
該半導体素子と金属ワイヤとの接続部が絶縁性の第一の樹脂で被覆され、
該接続部を被覆する第一の樹脂の表面の変曲点が、前記接続部の金属ワイヤの断面高さの1/4より半導体素子に近い位置にあることを特徴とするパワー半導体装置。
IPC (2件)：
FI (1件)：
Fターム (11件)：
4M109AA02
, 4M109BA04
, 4M109CA10
, 4M109DA08
, 4M109DB02
, 4M109EA02
, 4M109EA07
, 4M109EA10
, 4M109EC04
, 4M109EC07
, 4M109EE02
出願人引用 (1件)
-
半導体装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平8-186182
出願人：三菱電機株式会社
審査官引用 (3件)
-
半導体装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平10-146896
出願人：株式会社日立製作所
-
特開平3-079062
-
樹脂封止型半導体装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願2003-323986
出願人：富士電機デバイステクノロジー株式会社
前のページに戻る
