特許
J-GLOBAL ID:200903022899513834
半導体素子内蔵基板
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (10件):
特許業務法人アルガ特許事務所
, 有賀 三幸
, 高野 登志雄
, 中嶋 俊夫
, 村田 正樹
, 山本 博人
, 的場 ひろみ
, 守屋 嘉高
, 大野 詩木
, 松田 政広
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-113891
公開番号(公開出願番号):特開2008-270633
出願日: 2007年04月24日
公開日(公表日): 2008年11月06日
要約:
【課題】半導体素子の外部接続電極となる金属バンプのピッチが狭くなっても、金属バンプと導体層との接続信頼性に優れた半導体素子内蔵基板を提供する。【解決手段】フリップチップ実装により半導体素子が内蔵された基板であって、該半導体素子の外部接続電極となる金属バンプが接着剤で固定されていると共に、金属めっきからなる導体層と接続している半導体素子内蔵基板。【選択図】図1
請求項(抜粋):
フリップチップ実装により半導体素子が内蔵された基板であって、該半導体素子の外部接続電極となる金属バンプが、接着剤で固定されていると共に、金属めっきからなる導体層と接続していることを特徴とする半導体素子内蔵基板。
IPC (2件):
FI (5件):
H05K3/46 Q
, H01L23/12 N
, H01L23/12 501B
, H05K3/46 N
, H05K3/46 B
Fターム (27件):
5E346AA02
, 5E346AA12
, 5E346AA16
, 5E346AA43
, 5E346AA60
, 5E346CC04
, 5E346CC05
, 5E346CC09
, 5E346CC32
, 5E346CC34
, 5E346CC37
, 5E346CC41
, 5E346DD02
, 5E346DD12
, 5E346DD33
, 5E346DD47
, 5E346EE06
, 5E346EE09
, 5E346FF07
, 5E346FF09
, 5E346FF10
, 5E346FF24
, 5E346GG15
, 5E346GG17
, 5E346GG22
, 5E346GG28
, 5E346HH07
引用特許:
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