特許
J-GLOBAL ID：200903034561995378

半導体IC内蔵基板及びその製造方法

発明者：
川畑 賢一

川畑 賢一 について

, 
鈴木 圭

鈴木 圭 について

, 
▼高▲野 弘介

▼高▲野 弘介 について


出願人/特許権者：
TDK株式会社

TDK株式会社 について


代理人 (2件)： 鷲頭 光宏 ,  緒方 和文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-189708
公開番号（公開出願番号）：特開2007-012761
出願日： 2005年06月29日
公開日（公表日）： 2007年01月18日
要約：
【課題】 高精度に位置決めされた半導体ICを内蔵させることが可能な半導体IC内蔵基板及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 半導体IC15のスタッドバンプ16に対応したコア基板10上の所定の位置に位置決め用穴13を形成し、スタッドバンプ16が位置決め用穴13に嵌り込むようにコア基板10上に半導体IC15を実装した後、コア基板10上にプレス基板17をプレスして半導体IC15をコア基板10内に埋め込む。これにより、半導体IC15の位置ずれを防止することができ、高精度に位置決めされた半導体IC15を内蔵する半導体IC内蔵基板を製造することができる。【選択図】 図6
請求項（抜粋）：
導電性突起物を有する半導体ICと、前記半導体ICが内蔵された積層基板とを少なくとも備え、 前記積層基板は、一方の表面に位置決め用穴が形成された第1の樹脂層と、前記第1の樹脂層の前記一方の表面側に設けられた第2の樹脂層とを少なくとも含み、 前記半導体ICは、前記導電性突起物が前記位置決め用穴に嵌め込まれた状態で前記第1の樹脂層及び第2の樹脂層間に埋め込まれていることを特徴とする半導体IC内蔵基板。
IPC (4件)：
H05K 3/46 ,  H01L 21/52 ,  H01L 21/56 ,  H01L 23/28
FI (4件)：
H05K3/46 Q ,  H01L21/52 A ,  H01L21/56 R ,  H01L23/28 Z
Fターム (31件)：
4M109AA02 ,  4M109BA03 ,  4M109CA22 ,  4M109DA10 ,  4M109DB02 ,  4M109DB17 ,  4M109EA02 ,  4M109EA07 ,  4M109EA11 ,  4M109EA12 ,  5E346AA12 ,  5E346AA15 ,  5E346AA22 ,  5E346AA32 ,  5E346AA43 ,  5E346FF18 ,  5E346FF45 ,  5F047AA07 ,  5F047AB01 ,  5F047BA23 ,  5F047BA33 ,  5F047BB05 ,  5F047BB13 ,  5F047BB16 ,  5F047BC29 ,  5F061AA02 ,  5F061BA03 ,  5F061CA03 ,  5F061CA22 ,  5F061CB02 ,  5F061FA05
引用特許：
審査官引用 (4件)
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