特許
J-GLOBAL ID：200903022911562110
積層セラミック電子部品の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-103600
公開番号（公開出願番号）：特開2000-302558
出願日： 1999年04月12日
公開日（公表日）： 2000年10月31日
要約：
【要約】【課題】 内部構造欠陥の発生がなく、しかも信頼性の優れた積層セラミック電子部品の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 積層セラミックグリーンチップを脱バイする際に、20°C〜200°C間の昇温速度を25°C/hr以下とする積層セラミック電子部品の製造方法としたものであり、これによりヒビやクラック等の内部構造欠陥の発生を抑制し、また信頼性の高い優れた積層セラミック電子部品を得ることができる。
請求項（抜粋）：
積層セラミックグリーンチップを脱バイ焼成する際の20°C〜200°C間の昇温速度を25°C/hr以下とする積層セラミック電子部品の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C04B 35/64 301
, C04B 35/64 C
