特許
J-GLOBAL ID：200903022958260821

反射防止膜成形用ターゲット材およびパターン形成法

発明者：
鈴木 義雄

鈴木 義雄 について


出願人/特許権者：
東海カーボン株式会社

東海カーボン株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-267778
公開番号（公開出願番号）：特開平9-092612
出願日： 1995年09月21日
公開日（公表日）： 1997年04月04日
要約：
【要約】【課題】 半導体基板に高性能の光反射防止層を形成することができる炭素質の反射防止用ターゲット材と、このターゲット材を用いたレジストパターン形成法の提供。【解決手段】 結晶子の大きさLc(002)が 1.5〜3.0nm で、黒鉛六角網面層の平均格子面間隔d002 が 0.345〜0.360nm の結晶性状を備えるガラス状カーボン板からなる反射防止用ターゲット材。前記の反射防止膜用ターゲット材をスパッタリングして半導体基板のフォトレジスト層に光反射防止層を形成し、マスクを介してレジスト層を露光したのちエッチング処理を施すパターン形成法。
請求項（抜粋）：
結晶子の大きさLc(002)が1.5〜3.0nmで、黒鉛六角網面層の平均格子面間隔d002 が0.345〜0.360nmの結晶性状を備えるガラス状カーボン板からなることを特徴とする反射防止膜用ターゲット材。
IPC (5件)：
H01L 21/027 ,  C01B 31/02 101 ,  C04B 35/52 ,  C30B 23/04 ,  G03F 7/11 501
FI (5件)：
H01L 21/30 574 ,  C01B 31/02 101 A ,  C30B 23/04 ,  G03F 7/11 501 ,  C04B 35/52 A
引用特許：
出願人引用 (5件)
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