特許

J-GLOBAL ID：200903022982083442

非晶質シリカ焼結体の製造方法

発明者： 和田 徹也
出願人/特許権者： 電気化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-248237
公開番号（公開出願番号）：特開2002-060266
出願日： 2000年08月18日
公開日（公表日）： 2002年02月26日
要約：

【要約】【課題】低誘電率かつ低誘電損失の非晶質シリカ焼結体を、焼結時の体積収縮を小さくして製造すること。【解決手段】非晶質シリカ粉末とバインダーと溶剤を含む混合物を成形後、水蒸気雰囲気下で焼成する方法において、上記非晶質シリカ粉末が、平均粒径1.0ミクロンメートル以下で、頻度粒度分布に少なくとも2カ所の極大値を有する非晶質球状シリカ粉末であることを特徴とする非晶質シリカ焼結体の製造方法。

請求項（抜粋）：

非晶質シリカ粉末とバインダーと溶剤を含む混合物を成形後、水蒸気雰囲気下で焼成する方法において、上記非晶質シリカ粉末が、平均粒径1.0ミクロンメートル以下で、頻度粒度分布に少なくとも2カ所の極大値を有する非晶質球状シリカ粉末であることを特徴とする非晶質シリカ焼結体の製造方法。

IPC (2件)：

C04B 35/14 ,  C04B 35/622

FI (2件)：

C04B 35/14 ,  C04B 35/00 C

Fターム (8件)：

4G030BA12 ,  4G030CA01 ,  4G030CA08 ,  4G030GA01 ,  4G030GA12 ,  4G030GA14 ,  4G030GA20 ,  4G030GA24

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 多層配線基板とその製造方法、及びそれに用いるシリカ焼結体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-085129   出願人：日本電気株式会社
• 特開平2-083249
  
• シリカ焼結体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-089185   出願人：日本電気株式会社
• 多層配線基板とその製造方法、及びそれに用いるシリカ焼結体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-247929   出願人：日本電気株式会社