特許
J-GLOBAL ID：200903023050719630
基板接合方法、照射方法、および基板接合装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (6件)：
八田 幹雄
, 野上 敦
, 奈良 泰男
, 齋藤 悦子
, 宇谷 勝幸
, 藤井 敏史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-308059
公開番号（公開出願番号）：特開2005-079353
出願日： 2003年08月29日
公開日（公表日）： 2005年03月24日
要約：
【課題】 接合強度を高めることができる基板接合技術を提供する。【解決手段】 第1電極110と基板800aとの間の空間で酸素プラズマを発生させ、酸素プラズマを基板800aの表面に照射する第1の照射段階と、第1電極110と第2電極120との間の空間で窒素プラズマを発生させ、第1電極110の開口111を通過した窒素ラジカルを基板800aの表面に照射する第2の照射段階と、第1および第2の照射段階の後、各基板800aおよび800bの表面を重ね合わせて接合する接合段階と、を有する。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
複数の基板同士を接合する基板接合方法であって、
各基板の表面へ酸素粒子ビームを照射する第1の照射段階と、
前記第1の照射段階と同時または後続して、各基板の表面へ窒素粒子ビームを照射する第2の照射段階と、
第1および第2の照射段階の後、各基板の表面を重ね合わせて接合する接合段階と、を有することを特徴とする基板接合方法。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L21/02 B
, H01L21/02 Z
出願人引用 (1件)
審査官引用 (6件)
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