特許

J-GLOBAL ID：200903068398784005

低温結合方法および結合構成物

発明者： トン、キン-イー ,  ファウンテン、ガイアス・ギルマン・ジュニア ,  エンキスト、ポール・エム
出願人/特許権者： ジプトロニクス・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-560438
公開番号（公開出願番号）：特表2003-523627
出願日： 2001年02月15日
公開日（公表日）： 2003年08月05日
要約：

【要約】【解決手段】 洗浄またはエッチングにより面を洗浄、活性することを含む低温または室温で結合する方法。この方法は、シリコン、シリコン酸化物およびSiOのような材料の室温化学結合をなすように可逆的反応を防ぐために界面高分子化の副産物を除去することを含む。結合すべき面は、滝度合の平滑性および平坦性に研磨される(2)。VSEは、結合される面を僅かにエッチングするためにリアクチブイオンエッチングまたは湿式エッチングが用いられる(3)。表面粗さおよび平坦性は、落ちず、かつVSEプロセスにより増加される。エッチング面は、水酸化アンモニウム、フッ化アンモニウムのような溶液でリンスされ、前記面上の望ましい結合化学種の形成を助長する(4)。

請求項（抜粋）：

第1、第2の結合面を形成すること; 前記第1、第2の結合面をエッチングすること;および 前記エッチング工程後に室温で前記第1、第2の結合面を共に結合することを含む結合方法。

IPC (2件)：

H01L 21/02 ,  H01L 21/3065

FI (2件)：

H01L 21/02 B ,  H01L 21/302 105 A

Fターム (6件)：

5F004AA11 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DB01

引用特許：

審査官引用 (4件)

• シリコンウェハーの常温接合法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-268028   出願人：工業技術院長
• 2つの材料の直接接合方法及び材料直接接合装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-287648   出願人：日本電装株式会社
• 3次元集積回路の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-244732   出願人：フラウンホッファー-ゲゼルシャフトツァフェルダールングデァアンゲヴァンテンフォアシュンクエー.ファオ.
• 2つの固体を結合させる方法および得られる構造部材
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-122768   出願人：デグサ-ヒュルスアクチェンゲゼルシャフト