特許
J-GLOBAL ID：200903023058161832
炭化珪素単結晶の製造方法および炭化珪素ウエハ
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (6件)：
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 野田 久登
, 酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-316457
公開番号（公開出願番号）：特開2006-124244
出願日： 2004年10月29日
公開日（公表日）： 2006年05月18日
要約：
【課題】 大口径で高品質のSiC単結晶を製造することができるSiC単結晶の製造方法とその方法により得られたSiC単結晶からなるSiCウエハを提供する。【解決手段】 SiC基板1の周縁領域15の一部を切除または溝切りする工程と、切除または溝切り後の基板を種基板としてこの種基板の表面上にSiC単結晶を成長させる工程とを含むSiC単結晶の製造方法である。また、このSiC単結晶の製造方法により得られたSiC単結晶からなり、小傾角粒界の数が10本以下であるSiCウエハである。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
炭化珪素基板の周縁領域の一部を切除または溝切りする工程と、前記切除または前記溝切り後の前記炭化珪素基板を種基板として前記種基板の表面上に炭化珪素単結晶を成長させる工程と、を含む、炭化珪素単結晶の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (8件)：
4G077AA02
, 4G077BE08
, 4G077DA18
, 4G077ED04
, 4G077ED05
, 4G077ED06
, 4G077HA12
, 4G077SA01
