特許

J-GLOBAL ID：200903061762388884

モザイク性の小さな炭化珪素単結晶ウエハ

発明者： 大谷 昇 ,  勝野 正和 ,  藍郷 崇 ,  矢代 弘克
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 八田 幹雄 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-105134
公開番号（公開出願番号）：特開2001-294499
出願日： 2000年04月06日
公開日（公表日）： 2001年10月23日
要約：

【要約】【課題】 炭化珪素(SiC)単結晶ウエハ上に高品質なエピタキシャル薄膜を成長させ、その薄膜を用いて高性能なデバイスを歩留り良く作製する。【解決手段】 エピタキシャル薄膜成長とそのデバイス作製に使用される口径50mm以上のSiC単結晶ウエハであって、ウエハ面内の任意の2点間での結晶方位のずれが60秒/cm以下であるモザイク性の小さな炭化珪素単結晶ウエハ。

請求項（抜粋）：

エピタキシャル薄膜成長用基板として用いられる口径50mm以上の炭化珪素単結晶ウエハであって、ウエハ面内の任意の2点間での成長面方位のずれが60秒/cm以下であることを特徴とするモザイク性の小さな炭化珪素単結晶ウエハ。

IPC (2件)：

C30B 29/36 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

C30B 29/36 A ,  H01L 21/205

Fターム (20件)：

4G077AB02 ,  4G077BE08 ,  4G077DA02 ,  4G077DA18 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077FG13 ,  4G077HA12 ,  5F045AA03 ,  5F045AB06 ,  5F045AB14 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD14 ,  5F045AD18 ,  5F045AF02 ,  5F045BB12 ,  5F045CA12 ,  5F045CB01

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 低抵抗SiC単結晶の育成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-267452   出願人：新日本製鐵株式会社
• SiC単結晶の成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-056036   出願人：新日本製鐵株式会社
• 物体をエピタキシャル成長させるための方法及びそのような成長を行うための装置
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平9-514193   出願人：エービービーリサーチリミテッド, オクメティックリミテッド
• 6H-SiC単結晶の成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-174952   出願人：新日本製鐵株式会社