特許
J-GLOBAL ID：200903073606163072
単結晶炭化ケイ素の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-094436
公開番号（公開出願番号）：特開2003-292399
出願日： 2002年03月29日
公開日（公表日）： 2003年10月15日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、螺旋転位に起因する空洞のない単結晶炭化ケイ素の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 本発明は、螺旋転位の中心部分の空洞を表面に有する単結晶炭化ケイ素の種結晶若しくはオフ角度をもって切り出された基板である基材を用意し、基材の表面に、台状構造や溝を加工することにより段差を形成し、段差を形成した基材の表面に、エピタキシャル成長法により単結晶炭化ケイ素を堆積させることを含む単結晶炭化ケイ素の製造方法である。【効果】 本発明によれば、表面におけるステップ密度が低減され、螺旋転位に起因する空洞が閉塞された単結晶炭化ケイ素が提供される。
請求項（抜粋）：
(i)螺旋転位の中心部分の空洞を表面に有する単結晶炭化ケイ素からなる基材を用意し、(ii)前記基材表面の前記空洞の近傍に段差を形成し、(iii)段差を形成した基材表面に、エピタキシャル成長法により単結晶炭化ケイ素を堆積させる、ことを含む単結晶炭化ケイ素の製造方法。
Fターム (9件)：
4G077AA03
, 4G077BE08
, 4G077DA02
, 4G077DB01
, 4G077ED04
, 4G077EE01
, 4G077HA06
, 4G077SA04
, 4G077TK04
