特許

J-GLOBAL ID：200903026938084836

炭化珪素単結晶育成用種結晶、炭化珪素単結晶インゴット、および炭化珪素単結晶ウエハ、並びに炭化珪素単結晶の製造方法

発明者： 大谷 昇 ,  勝野 正和 ,  藤本 辰雄 ,  柘植 弘志 ,  藍郷 崇 ,  矢代 弘克
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 八田 幹雄 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-307814
公開番号（公開出願番号）：特開2002-121099
出願日： 2000年10月06日
公開日（公表日）： 2002年04月23日
要約：

【要約】【課題】 欠陥の少ない良質の大口径ウエハを再現性良く供給するためのSiC単結晶育成用種結晶、SiC単結晶インゴット、およびSiC単結晶ウエハ、並びにSiC単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】 炭化珪素単結晶からなる種結晶であって、該種結晶の単結晶成長面に溝を有してなる炭化珪素単結晶育成用種結晶、これを用いたSiC単結晶インゴット、およびSiC単結晶ウエハ、並びにSiC単結晶の育成方法。

請求項（抜粋）：

炭化珪素単結晶からなる種結晶であって、該種結晶の単結晶成長面に溝を有してなる炭化珪素単結晶育成用種結晶。

IPC (2件)：

C30B 29/36 ,  C30B 23/02

FI (2件)：

C30B 29/36 A ,  C30B 23/02

Fターム (6件)：

4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077DA18 ,  4G077ED01 ,  4G077GA10 ,  4G077HA12

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 炭化珪素単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-213545   出願人：株式会社デンソー
• SiC単結晶およびその成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-364593   出願人：株式会社シクスオン, 関西電力株式会社, 三菱商事株式会社, 住友電気工業株式会社

審査官引用 (2件)

• 炭化珪素単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-213545   出願人：株式会社デンソー
• SiC単結晶およびその成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-364593   出願人：株式会社シクスオン, 関西電力株式会社, 三菱商事株式会社, 住友電気工業株式会社

引用文献：

出願人引用 (1件)

• Homoepitaxy of 6H and 4H SiC on nonplanar substrates

審査官引用 (1件)

• Homoepitaxy of 6H and 4H SiC on nonplanar substrates