特許
J-GLOBAL ID：200903023081550706
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-030077
公開番号（公開出願番号）：特開2001-223232
出願日： 2000年02月08日
公開日（公表日）： 2001年08月17日
要約：
【要約】【課題】 半導体ウェハの破損を防止して製品歩留まりを向上させることができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 半導体素子の外部接続用の電極2に導電部7が形成された半導体装置の製造方法において、回路形成面に保護膜3が形成された状態の半導体ウェハ1の回路形成面の反対側を除去して薄化する。この後、保護膜3に電極2の位置に対応して保護膜3を貫通する貫通孔3aを形成し、貫通孔3a内に電極2と導通する導電部7を形成した後に保護膜3を半導体ウェハ1から除去する。これにより、導電部形成時の半導体ウェハ1を補強して半導体素子の破損を防止することができる。
請求項（抜粋）：
半導体素子の外部接続用の電極に導電部が形成された半導体装置を製造する半導体装置の製造方法であって、半導体素子が形成された半導体ウェハの回路形成面に保護膜を形成する工程と、保護膜が形成された半導体ウェハの回路形成面の反対側を除去して半導体ウェハを薄化する工程と、前記保護膜に前記電極の位置に対応して保護膜を貫通する貫通孔を形成する工程と、この貫通孔内に前記電極と導通する導電部を形成する工程と、導電部形成後に前記保護膜を半導体ウェハから除去する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
引用特許：
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