特許

J-GLOBAL ID：200903023111207360

半導体の製造方法及び半導体素子

発明者： 佐藤 俊一
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 植本 雅治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-114177
公開番号（公開出願番号）：特開平9-283857
出願日： 1996年04月11日
公開日（公表日）： 1997年10月31日
要約：

【要約】【課題】 V族の空孔濃度を高くすることなく、大きなN組成のIII-V族混晶半導体の高品質に形成することを可能にする。【解決手段】 所定の半導体基板41上にNとAsを同時に含んだ複数のV族元素からなる少なくとも一層のIII-V族混晶半導体層を形成する半導体の製造方法において、前記III-V族混晶半導体層を、Nの原料として有機系窒素化合物を用い、Asの原料にAsH3を用い、反応炉中のAsH3分圧を2Pa以上とし、成長中の基板温度を550°C以上として、有機金属気相成長法(MOCVD)により結晶成長させる。

請求項（抜粋）：

所定の半導体基板上にNとAsを同時に含んだ複数のV族元素からなる少なくとも一層のIII-V族混晶半導体層を形成する半導体の製造方法において、前記III-V族混晶半導体層を、Nの原料として有機系窒素化合物を用い、Asの原料にAsH3を用い、反応炉中のAsH3分圧を2Pa以上とし、成長中の基板温度を550°C以上として、有機金属気相成長法(MOCVD)により結晶成長させることを特徴とする半導体の製造方法。

IPC (3件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体レーザ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-297128   出願人：富士通株式会社
• 3-5族化合物半導体の気相成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-030065   出願人：住友化学工業株式会社
• 発光ダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-025587   出願人：昭和電工株式会社