特許
J-GLOBAL ID：200903023114729812

改良された位相欠陥感度のためのデフォーカスを利用する差分検出器

発明者：
クランツ・マティアス・シー.

クランツ・マティアス・シー. について

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ペティボーン・ドナルド・ダブリュ.

ペティボーン・ドナルド・ダブリュ. について

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クヴァム・デイモン・エフ.

クヴァム・デイモン・エフ. について

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ストコフスキー・スタン

ストコフスキー・スタン について


出願人/特許権者：
ケーエルエー-テンカー・コーポレーション

ケーエルエー-テンカー・コーポレーション について


代理人 (1件)： 特許業務法人明成国際特許事務所
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-558900
公開番号（公開出願番号）：特表2005-514670
出願日： 2002年12月24日
公開日（公表日）： 2005年05月19日
要約：
【課題】 位相欠陥を検出する装置および方法を提供する。【解決手段】 本発明は大きくは、位相シフトマスク内の欠陥を透過するときの光の歪みに基づいてこれら欠陥を検出することに基づく。エッチングされた領域のバンプのような欠陥を通る光は、空気を通る光とは異なる速度で移動する。欠陥から生成される信号を強調するために、本発明は実施形態において、スキャニングビームのフォーカスを検査されるフォトマスクよりも上または下のレベルに設定することで、デフォーカスされたビームを生むデフォーカスされた光検査ビームを提供する。フォトマスクによって反射または透過されるスキャニングビームからの光は、検出器によって集光され少なくとも2つの部分に分割され、そのそれぞれが信号を発生する。2つの検出器部分のそれぞれにおいて発生される信号群から作られる、結果として生じる差分信号は、欠陥がフォトマスク中に存在するかを決定するのに用いられ、ある実施形態においては、結果信号からイメージが生成される。
請求項（抜粋）：
半導体処理フォトマスク中の位相欠陥を検出する方法であって、 光学的検査ビームのフォーカスを、半導体処理フォトマスクの表面の上または下の所定の距離に設定すること、 前記半導体処理フォトマスクから反射される、またはそれを透過する光を少なくとも2つの部分を備える検出器において集めること、 前記少なくとも2つの部分のうちの第1部分から第1信号を、および前記少なくとも2つの部分のうちの第2部分から第2信号を生成すること、 前記第1信号および前記第2信号の間の差を得ることによって欠陥が存在するかを示す結果信号を作ること を含む方法。
IPC (4件)：
G03F1/08 ,  G01N21/956 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027
FI (4件)：
G03F1/08 S ,  G01N21/956 A ,  G03F7/20 521 ,  H01L21/30 502P
Fターム (11件)：
2G051AA51 ,  2G051AA56 ,  2G051AB02 ,  2G051AB20 ,  2G051CA04 ,  2G051CA20 ,  2G051CB06 ,  2G051CB10 ,  2G051CC09 ,  2H095BB03 ,  2H095BD04
引用特許：
審査官引用 (5件)
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