半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大塚康徳 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-213514
公開番号（公開出願番号）：特開平9-116027
出願日： 1996年08月13日
公開日（公表日）： 1997年05月02日
要約：

【要約】【課題】減結合キャパシタを含む半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】減結合キャパシタを含む半導体装置において、当該減結合キャパシタは、少なくとも二つのキャパシタを並列に連結されてなることを特徴とする。減結合キャパシタの静電容量は、並列に連結された各キャパシタの静電容量の和であるため、一つのキャパシタの占有領域内で、一つのキャパシタの数倍の静電容量を有する減結合キャパシタを形成することができる。即ち、本発明により、占有面積が小さく、かつ静電容量が大きな減結合キャパシタを構成することができるため、半導体装置の高集積化及び電源電圧の安定化を実現する。

請求項（抜粋）：