特許

J-GLOBAL ID：200903023145037935

ヘテロバイポーラトランジスタおよびSiGeC混晶膜の形成方法

発明者： 佐久間 芳樹
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-247057
公開番号（公開出願番号）：特開2002-064105
出願日： 2000年08月16日
公開日（公表日）： 2002年02月28日
要約：

【要約】【課題】 SiGeC混晶よりなるベース層を含むヘテロバイポーラトランジスタにおいて、ベース層中のGeの組成勾配に起因する格子不整合を緩和し、キャリアのドリフトを促進する。【解決手段】 SiGeC混晶系ベース層において、Geの組成勾配に合わせてCの組成勾配を形成する。

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板上に形成されたコレクタ層と、前記コレクタ層上に形成されたベース層と、前記ベース層上に形成されたエミッタ層とよりなるヘテロバイポーラトランジスタであって、前記ベース層はSiGeC系の混晶よりなり、前記ベース層中においてCの濃度が、前記エミッタ層に面する第1の界面から前記コレクタ層に面する第2の界面まで増加することを特徴とするヘテロバイポーラトランジスタ。

IPC (5件)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  C30B 29/36 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/165

FI (4件)：

C30B 29/36 Z ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/165 ,  H01L 29/72

Fターム (26件)：

4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077BE07 ,  4G077DB01 ,  4G077EF01 ,  5F003BA27 ,  5F003BB01 ,  5F003BF06 ,  5F003BG06 ,  5F003BM01 ,  5F003BP31 ,  5F045AB02 ,  5F045AB05 ,  5F045AB06 ,  5F045AB07 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD13 ,  5F045AE23 ,  5F045AF03 ,  5F045BB12 ,  5F045CA02 ,  5F045DA58 ,  5F045DB02

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-118597   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-103757   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-184582   出願人：三菱電機株式会社