特許
J-GLOBAL ID：200903023156719370
試料作製方法および装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
小川 勝男
, 田中 恭助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-164150
公開番号（公開出願番号）：特開2005-345220
出願日： 2004年06月02日
公開日（公表日）： 2005年12月15日
要約：
【課題】微細試料片を取り出す半導体ウェーハの汚染を防止する。【解決手段】集束イオンビーム2で薄膜加工した半導体ウェーハの微細試料片3を摘出するために、搬送手段7に設けられた保持手段先端部9を試料片3に接触させ、接触面の表面活性化による原子間結合を利用して両者を接合して、取り出す。保持手段先端部9はカートリッジ機能11を有していて、試料の材料に応じた複数の材質の先端部9が選択可能に用意される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
真空雰囲気中の試料ステージ上に載置したウェーハ等の試料から、観察や分析のための微小試料片を取り出す試料作製方法において、
イオンビームを用いて試料の一部を微小試料片として分離し、前記微小試料片と保持手段の先端部を接触させ、両者の原子間結合を利用して接合して前記微小試料片を摘出することを特徴とする試料作製方法。
IPC (3件)：
G01N1/28
, G01N1/32
, H01J37/20
G01N1/28 G
, G01N1/32 B
, H01J37/20 Z
, G01N1/28 F
2G052AA13
, 2G052AD32
, 2G052AD52
, 2G052CA03
, 2G052CA04
, 2G052CA46
, 2G052EC18
, 2G052GA19
, 2G052GA34
, 2G052GA35
, 2G052JA04
, 2G052JA11
, 5C001AA08
, 5C001BB07
, 5C001CC08
, 5C001DD01
