半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：北野好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-050167
公開番号（公開出願番号）：特開平10-247636
出願日： 1997年03月05日
公開日（公表日）： 1998年09月14日
要約：

【要約】【課題】化合物半導体層上にGaS膜を有する半導体装置の製造技術に関し、特に、GaS膜上に形成された絶縁膜を、GaS膜に対して選択性よくエッチングする半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】化合物半導体層上にGaS膜よりなるゲート絶縁膜を形成する工程と、ゲート絶縁膜上に層間絶縁膜を形成する工程と、弗酸と弗化アンモニウムとを含むエッチング液により層間絶縁膜をゲート絶縁膜に対して選択的にエッチングし、ゲート絶縁膜の所定の領域を露出する工程と、露出したゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程とにより半導体装置を製造する。

請求項（抜粋）：

GaS膜上に形成されたSiO2膜、SiON膜又はSiN膜を、弗酸と弗化アンモニウムとを含むエッチング液により、前記GaS膜に対して選択的にエッチングすることを特徴とする半導体装置の製造方法。

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平1-098231
薄膜のパターニング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-052479 出願人：セイコー電子工業株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-016889 出願人：富士通株式会社

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