半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大西健治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-084040
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277665
出願日： 1999年03月26日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
要約：

【要約】【課題】薄型化、高密度実装可能な半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置の構造が、表面に電極を有する半導体素子1と、表面から裏面に達する貫通孔を有する配線基板2と、半導体素子1の電極と配線基板2の配線とを接続する金属ワイヤ3と、半導体素子1の表面を封止し、半導体素子1の側面と貫通孔の内壁面とを固着する樹脂4とからなる。

請求項（抜粋）：

表面に電極を有する半導体素子と、表面から裏面に達する貫通孔を有する配線基板と、前記電極と前記配線基板の配線とを接続する導体と、前記半導体素子の表面を封止し、該半導体素子の側面と前記貫通孔の内壁面とを固着する樹脂とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 23/28 , H01L 21/56 , H01L 21/60 301

FI (3件)：

H01L 23/28 Z , H01L 21/56 E , H01L 21/60 301 A

Fターム (12件)：

4M109AA01 , 4M109BA03 , 4M109CA05 , 4M109DA07 , 4M109DB16 , 5F044AA02 , 5F044JJ03 , 5F044KK01 , 5F044LL07 , 5F061AA01 , 5F061BA03 , 5F061CA05

引用特許：

出願人引用 (8件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-280804 出願人：富士ゼロックス株式会社
特開昭54-150078
特開平4-267545

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審査官引用 (18件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-280804 出願人：富士ゼロックス株式会社
特開昭54-150078
特開昭54-150078

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