特許
J-GLOBAL ID：200903023228605609
ウェハ研磨方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
山崎 宏
, 前田 厚司
, 仲倉 幸典
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-177952
公開番号（公開出願番号）：特開2005-019435
出願日： 2003年06月23日
公開日（公表日）： 2005年01月20日
要約：
【課題】ウェハの仕上げ厚が100μm以下というような超薄型であっても、ウェハエッジの欠けやクラックを生じることなくウェハを薄くできるウェハ研磨方法を提供すること。【解決手段】ウェハ2上で半導体素子または回路が形成された内部領域16とその外側の外周部15との境界をウェハ表面3に対して垂直に切断して、ウェハ外周部15を除去する。ウェハ2の面寸法以上の面寸法をもつ支持部材10にウェハ表面3を貼り合わせる。支持部材10によってウェハ表面3を支持した状態でウェハ裏面30を研磨して、ウェハ2の厚みを所定の仕上げ厚まで薄くする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
ウェハ上で半導体素子または回路が形成された内部領域とその外側の外周部との境界を上記ウェハの表面に対して垂直に切断または研磨して、上記ウェハの外周部を除去する工程と、
上記ウェハの面寸法以上の面寸法をもつ支持部材に上記ウェハの表面を貼り合わせる工程と、
上記支持部材によって上記ウェハの表面を支持した状態で上記ウェハの裏面を研磨して、上記ウェハの厚みを所定の仕上げ厚まで薄くする工程とを有するウェハ研磨方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/304 622N
, B24B37/04 Z
3C058AB09
, 3C058CB02
, 3C058DA17
