特許
J-GLOBAL ID：200903023255893403
固体撮像素子及び固体撮像素子の駆動方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
角田 芳末
, 伊藤 仁恭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-068401
公開番号（公開出願番号）：特開2008-166845
出願日： 2008年03月17日
公開日（公表日）： 2008年07月17日
要約：
【課題】充分な感度を確保することができ、良好な特性を有する固体撮像素子を提供する。【解決手段】受光センサ部1の各列の一側に設けられた電荷転送部2の転送電極が、第1層の電極層3A,3Cから成る第1の転送電極と、第1層の電極層(多結晶シリコン)3B,3D及び第2層の電極層(多結晶シリコン)4がコンタクト層5により電気的に接続されて成る第2の転送電極とにより構成され、コンタクト層5及び第2の電極層4が同一の導電材料で形成され、第2の転送電極の第1層の電極層3B,3Dが電荷転送部2毎に独立して形成され、電荷転送部2の方向において隣接する画素間部においては、第1の転送電極3A,3Cと第2の転送電極の第2層の電極層4とが積層形成されている固体撮像素子を構成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
それぞれ画素を構成する受光センサ部が、行列状に配置され、
前記受光センサ部の各列の一側に電荷転送部が設けられ、
前記電荷転送部の転送電極が、第1層の電極層から成る第1の転送電極と、第1層の電極層及び第2層の電極層が電気的に接続されて成る第2の転送電極とにより構成され、
前記第1層の電極層及び前記第2層の電極層が、多結晶シリコンであり、
前記第2の転送電極の前記第1層の電極層及び前記第2層の電極層をコンタクトするコンタクト層と、前記第2層の電極層とが、同一の導電材料で形成され、
前記第2の転送電極の前記第1層の電極層は、前記電荷転送部毎に独立して形成され、
前記電荷転送部の方向において隣接する画素間部においては、前記第1の転送電極と前記第2の転送電極の前記第2層の電極層とが積層形成されている
ことを特徴とする固体撮像素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (11件)：
4M118AA02
, 4M118AB01
, 4M118BA10
, 4M118CA02
, 4M118DA18
, 4M118DA20
, 4M118DB05
, 4M118DB06
, 4M118DB08
, 4M118FA06
, 4M118GB15
