特許

J-GLOBAL ID：200903023299856998

SOI基板の製造方法

発明者： 中嶋 定夫 ,  大野 晃計 ,  土屋 敏章 ,  中村 信二 ,  酒井 徹志 ,  植木 武美 ,  門 勇一 ,  竹田 忠雄
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-171620
公開番号（公開出願番号）：特開平10-074922
出願日： 1997年06月27日
公開日（公表日）： 1998年03月17日
要約：

【要約】【課題】 SOI基板の上に形成されるMOSトランジスタのソース・ドレーン間の漏れ電流を抑制し、SOI基板中に発生する積層欠陥を除去する。【解決手段】 犠牲酸化によって表面単結晶シリコン層4内に積層欠陥が生じるのを防ぐ。この積層欠陥は、アニール処理によって熱力学的に不安定にして消滅させる。

請求項（抜粋）：

第1の単結晶シリコン層と、この上に配置される絶縁層と、この上に配置される第2の単結晶シリコン層とを備えたSOI基板を使用し、前記第2の単結晶シリコン層の表面を熱酸化した後熱酸化された表面を除去して、前記第2の単結晶シリコン層を所定の厚さに調整するようにした工程を含むSOI基板の製造方法において、所定の厚さに前記第2の単結晶シリコン層を調整する工程は、アニール処理によって前述した熱酸化に基づき発生する積層欠陥を修復する工程を含むようにしたことを特徴とするSOI基板の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/322

FI (3件)：

H01L 27/12 Z ,  H01L 21/316 S ,  H01L 21/322 Q

引用特許：

審査官引用 (2件)

• SOI 基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-234415   出願人：日本電信電話株式会社
• SOI基板の製造方法およびSOI基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-076538   出願人：コマツ電子金属株式会社, 日本電信電話株式会社, エヌ・ティ・ティ・エレクトロニクステクノロジー株式会社