半導体レ-ザ素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：若林忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-061418
公開番号（公開出願番号）：特開平11-261155
出願日： 1998年03月12日
公開日（公表日）： 1999年09月24日
要約：

【要約】【課題】 GaAs基板上の半導体レーザで、優れた温度特性を有する1.3μm帯LDを実現するための新しい材料とLD構造を提供する。【解決手段】 GaAs基板上に量子井戸活性層を有する半導体レーザ素子であって、前記活性層を構成する少なくとも1つの半導体層がGaAs<SB>1-X-Y</SB>Sb<SB>X</SB>N<SB></SB><SB>Y</SB>(0<X≦0.3かつ0<Y≦0.015)であることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

活性層を構成する少なくとも1つの半導体層がGaAs<SB>1-X-</SB><SB>Y</SB>Sb<SB>X</SB>N<SB>Y</SB>(0<X≦0.3かつ0<Y≦0.015)であることを特徴とするGaAs基板上に形成された半導体レ-ザ素子。

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-296210 出願人：株式会社日立製作所
III-V族化合物半導体の積層超格子構造及びそれを用いた発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-051454 出願人：酒井士郎, シャープ株式会社
半導体の製造方法及び半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-114177 出願人：株式会社リコー

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