特許

J-GLOBAL ID：200903023457559475

薄膜磁気センサ及びその製造方法

発明者： 小林 伸聖 ,  白川 究 ,  金田 安司
出願人/特許権者： 財団法人電気磁気材料研究所 ,  大同特殊鋼株式会社
代理人 (1件)： 上野 登
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-151523
公開番号（公開出願番号）：特開2004-356338
出願日： 2003年05月28日
公開日（公表日）： 2004年12月16日
要約：

【課題】巨大磁気抵抗効果を有するGMR膜の両側に軟磁性材料からなる薄膜ヨークを配置した薄膜磁気センサにおいて、GMR膜と薄膜ヨークとの間の電気的接触状態のばらつきを低減し、かつ磁界感度を向上させること。【解決手段】本発明に係る薄膜磁気センサ20は、軟磁性材料からなり、かつギャップ24aを介して対向させた一対の第1薄膜ヨーク24b及び第2薄膜ヨーク24cと、第1薄膜ヨーク24b及び第2薄膜ヨーク24cと電気的に接続されるようにギャップ24a間に形成されたGMR膜26と、第1薄膜ヨーク24b及び第2薄膜ヨーク24c及並びに前GMR膜26を支持する絶縁基板22とを備え、ギャップ24aのギャップ長は、第1薄膜ヨーク24bと第2薄膜ヨーク24cとの対向面に堆積させたGMR膜26の膜厚によって規定されていることを特徴とする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

軟磁性材料からなり、かつギャップを介して対向させた一対の第1薄膜ヨーク及び第2薄膜ヨークと、 前記第1薄膜ヨーク及び前記第2薄膜ヨークと電気的に接続されるように前記ギャップ間に形成された、前記軟磁性材料より高い電気比抵抗を有するGMR膜と、 前記第1薄膜ヨーク及び前記第2薄膜ヨーク並びに前記GMR膜を支持する絶縁性・非磁性材料からなる絶縁基板とを備えた薄膜磁気センサであって、 前記ギャップのギャップ長は、前記第1薄膜ヨークと前記第2薄膜ヨークとの対向面に堆積させた前記GMR膜の膜厚によって規定されていることを特徴とする薄膜磁気センサ。

IPC (3件)：

H01L43/08 ,  G01R33/09 ,  H01L43/12

FI (4件)：

H01L43/08 Z ,  H01L43/08 P ,  H01L43/12 ,  G01R33/06 R

Fターム (4件)：

2G017AA01 ,  2G017AC07 ,  2G017AD55 ,  2G017AD65

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 薄膜磁界センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-315935   出願人：財団法人電気磁気材料研究所
• 磁気抵抗効果素子、これを用いた磁気ヘッド並びに磁気記録再生装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-055757   出願人：株式会社日立製作所