薄膜磁界センサ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高山宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-315935
公開番号（公開出願番号）：特開2003-121522
出願日： 2001年10月12日
公開日（公表日）： 2003年04月23日
要約：

【要約】【課題】残留磁化による測定誤差を排除し、磁界の強度と方向を同時に正確に測定する巨大磁気抵抗薄膜を用いた薄膜磁界センサを提供する。【解決手段】 2個のセンサ基本素子3の端子間に導体膜11を介して巨大磁気抵抗薄膜12が形成されている。各軟磁性薄膜には端子13、14、15、16が接続されている。これ等端子の中で、端子13、15間には入力端子として一定電圧が印加され、端子14、16間は出力端子として電圧を計測する様になっている。つまり、電気的にはセンサ基本素子3と巨大磁気抵抗薄膜をアームとするブリッジ回路が形成されている。巨大磁気抵抗薄膜12は磁気的には軟磁性薄膜1と分離されており、センサ基本素子間の抵抗値変化はそのまま出力端子14、16間の電圧変化として現れる。これ等センサ基本素子を周回してコイル7および端子8が形成されている。

請求項（抜粋）：

空隙によって2分割された軟磁性薄膜と、該空隙を埋めるように形成された巨大磁気抵抗薄膜と、2分割された該軟磁性薄膜の各々に電気的に接続された電気端子と、該軟磁性薄膜および該巨大磁気抵抗薄膜を周回して巻かれたコイルと、該電気端子間の抵抗値測定手段と、および該コイルに所定の電流値を流す手段からなることを特徴とする薄膜磁界センサ。

IPC (3件)：

G01R 33/09 , H01L 43/08 , G11B 5/39

FI (4件)：

H01L 43/08 U , H01L 43/08 Z , G11B 5/39 , G01R 33/06 R

Fターム (8件)：

2G017AA01 , 2G017AA02 , 2G017AA03 , 2G017AD55 , 2G017AD65 , 5D034BA03 , 5D034BA08 , 5D034BB14

引用特許：

出願人引用 (5件)

薄膜磁気抵抗素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-111301 出願人：財団法人電気磁気材料研究所
磁気インピーダンスセンサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-269084 出願人：ミネベア株式会社
磁気センサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-358089 出願人：矢崎総業株式会社

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審査官引用 (5件)

薄膜磁気抵抗素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-111301 出願人：財団法人電気磁気材料研究所
磁気インピーダンスセンサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-269084 出願人：ミネベア株式会社
磁気センサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-358089 出願人：矢崎総業株式会社

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