弗化水素ガスの流量制御方法及びこれに用いる弗化水素ガス用流量制御装置

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出願人/特許権者： , ,
代理人 (1件)：杉本丈夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-010162
公開番号（公開出願番号）：特開2004-264881
出願日： 2003年01月17日
公開日（公表日）： 2004年09月24日
要約：

【課題】圧力式流量制御装置を用いて、真空チャンバ等へ供給するHFガスを、3〜300SCCM程度の流量範囲について、高精度で流量制御できるようにする。【解決手段】オリフィス上流側のガスの圧力P1 とオリフィス下流側のガスの圧力P2 との比P2 /P1 を気体の臨界圧力比以下に保持した状態でオリフィスを流通するガスの流量QをQ=KP1 (但しKは定数)として演算するようにした圧力式流量制御装置を用いた弗化水素ガスの流量制御方法に於いて、前記圧力式流量制御装置を40°C以上の温度に加温しつつ、弗化水素ガスを前記オリフィスを通して流通させる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ガス供給源からの弗化水素ガスを流量制御器により所望の機器・装置へ供給する弗化水素ガスの供給方法に於いて、前記流量制御器を加熱して当該流量制御器を流通する弗化水素分子の会合を解離させ、一分子状態にした弗化水素ガスを流量制御器により流量制御しつつ供給する構成としたことを特徴とする弗化水素ガスの流量制御方法。

IPC (1件)：

G05D7/06

FI (1件)：

G05D7/06 Z

Fターム (10件)：

5H307AA02 , 5H307AA04 , 5H307BB01 , 5H307CC04 , 5H307CC12 , 5H307DD01 , 5H307EE01 , 5H307EE21 , 5H307ES01 , 5H307FF13

引用特許：

審査官引用 (6件)

ガス供給制御装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-296984 出願人：シーケーディ株式会社, 株式会社東芝
基板表面の処理方法、半導体素子向け基板表面の処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-135881 出願人：エム・エフエスアイ株式会社
特開平3-080540

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