特許
J-GLOBAL ID：200903023495759305

ウェハ研磨装置用テーブル、セラミックス構造体

発明者：
辻 昌宏

辻 昌宏 について

, 
馬嶋 一隆

馬嶋 一隆 について


出願人/特許権者：
イビデン株式会社

イビデン株式会社 について


代理人 (1件)： 恩田 博宣 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-277118
公開番号（公開出願番号）：特開2001-102336
出願日： 1999年09月29日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：
【要約】【課題】 接着界面の強度に優れるため破壊しにくく、かつ均熱性に優れたウェハ研磨装置用テーブルを提供すること。【解決手段】 このテーブル2は、ウェハ研磨装置1の一部を構成する。ウェハ保持プレート6の保持面6aに保持されている半導体ウェハ5は、テーブル2の研磨面2aに摺接される。このテーブル2は、セラミックス製基材11A,11Bを複数枚積層した状態で、各基材11A,11B同士を有機系接着層14を介して接着したものである。被接着面の表層における加工変質層L1の厚さが30μm以下に設定されている。接着界面には流体流路12が配設されている。
請求項（抜粋）：
ウェハ研磨装置を構成しているウェハ保持プレートの保持面に保持されている半導体ウェハが摺接される研磨面を有するテーブルにおいて、被接着面の表層にある加工変質層の厚さが30μm以下に設定されたセラミックス基材を複数枚積層した状態で、各基材同士が有機系接着剤層を介して接着されるとともに、前記基材の接着界面に流体流路が配設されているウェハ研磨装置用テーブル。
IPC (2件)：
H01L 21/304 622 ,  B24B 37/04
FI (2件)：
H01L 21/304 622 G ,  B24B 37/04 A
Fターム (6件)：
3C058AA14 ,  3C058AB08 ,  3C058AC04 ,  3C058BA02 ,  3C058BA08 ,  3C058DA17
引用特許：
審査官引用 (6件)
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