特許
J-GLOBAL ID：200903023501000367
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松田 正道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-293046
公開番号（公開出願番号）：特開平11-126876
出願日： 1997年10月24日
公開日（公表日）： 1999年05月11日
要約：
【要約】【課題】 特性劣化のない強誘電体薄膜を集積化できる半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 回路基板1と、回路基板1上に配置され、強誘電体薄膜3cおよび強誘電体薄膜3cを挟む込むように形成された上下電極3a、3bを有する強誘電体キャパシタと、回路基板1上に強誘電体キャパシタを覆うように形成された絶縁膜4と、絶縁膜4上に上下電極3a、3bのいずれかに接続するように形成された配線膜5a、5bと、絶縁膜4および配線膜5a、5bを覆うように形成された表面保護膜6とを備え、強誘電体キャパシタの強誘電体薄膜3cの表面方向に作用する合成応力は伸張応力である。
請求項（抜粋）：
回路基板と、前記回路基板上に配置され、強誘電体薄膜および前記強誘電体薄膜を挟む込むように形成された上下電極を有する強誘電体キャパシタと、前記回路基板上に前記強誘電体キャパシタを覆うように形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に前記上下電極のいずれかに接続するように形成された複数の金属配線膜と、前記絶縁膜および前記金属配線膜を覆うように形成された表面保護膜とを備え、前記強誘電体キャパシタの前記強誘電体薄膜の表面方向に作用する合成応力は伸張応力であることを特徴とする半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 27/10 451
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
H01L 27/10 451
, H01L 27/10 651
, H01L 29/78 371
