ポジ型レジスト組成物およびそれを用いたパターン形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：小栗昌平 , 本多弘徳 , 市川利光 , 高松猛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-099202
公開番号（公開出願番号）：特開2006-276742
出願日： 2005年03月30日
公開日（公表日）： 2006年10月12日
要約：

【課題】高エネルギー線、X線、電子線あるいはEUV光を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、真空中PEDでの感度、解像力、ラインパターンの線幅変動を同時に満足するポジ型レジスト組成物を提供する。【解決手段】 (T)1分子中に酸分解性基を少なくとも2つ以上含有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する、非ポリマー型の化合物、および、(B)活性光線または放射線の作用により酸を発生する化合物を含有し、(T)成分の含有量がレジスト組成物の固形分中40質量%以上、かつ、(B)成分の含有量がレジスト組成物の固形分中5質量%以上であることを特徴とするポジ型レジスト組成物、およびそれを用いたパターン形成方法。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

(T)1分子中に酸分解性基を少なくとも2つ以上含有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する、非ポリマー型の化合物、および、 (B)活性光線または放射線の作用により酸を発生する化合物を含有し、(T)成分の含有量がレジスト組成物の固形分中40質量%以上、かつ、(B)成分の含有量がレジスト組成物の固形分中5質量%以上であることを特徴とするポジ型レジスト組成物。

IPC (3件)：

G03F 7/039 , G03F 7/004 , H01L 21/027

FI (3件)：

G03F7/039 601 , G03F7/004 501 , H01L21/30 502R

Fターム (17件)：

2H025AA01 , 2H025AA02 , 2H025AA03 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC05 , 2H025AC06 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB28 , 2H025CB41 , 2H025CB45 , 2H025CC20 , 2H025FA17

引用特許：

出願人引用 (7件)

パターン形成材料及びパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-237462 出願人：松下電器産業株式会社
非晶性カリックスアレーン組成物およびそれを用いる膜製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-278191 出願人：日本電気株式会社
フェノール系デンドリマー化合物およびそれを含む感放射線性組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-136066 出願人：ジェイエスアール株式会社

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