特許
J-GLOBAL ID：200903023633803108
高分子薄膜、パターン基板、磁気記録用パターン媒体及びこれらの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
磯野 道造
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-072344
公開番号（公開出願番号）：特開2008-231233
出願日： 2007年03月20日
公開日（公表日）： 2008年10月02日
要約：
【課題】柱状相(柱状ミクロドメイン)が膜の貫通方向に配向し連続相中に分布するミクロ相分離構造を有する高分子薄膜及びその製造方法に関し、広範囲で規則配列パターンを有する高分子薄膜を提供する。【解決手段】連続相と、この連続相を貫通する方向に配向し分布する柱状相と、を備える高分子薄膜において、連続相の成分であるブロック鎖、及び柱状相の成分であるブロック鎖を少なくとも有する第1高分子ブロック共重合体と、連続相の成分であるブロック鎖、及び柱状相の成分であるブロック鎖を少なくとも有し重合度が前記第1高分子ブロック共重合体と異なる第2高分子ブロック共重合体と、が少なくとも配合され、高分子薄膜の膜厚をLとし、隣接する前記柱状相の平均中心間距離をrとした場合、このLとrとが所定の関係式を満たしている。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
連続相中に柱状相が分布している高分子薄膜において、
前記柱状相が前記高分子薄膜を貫通する方向に配向するとともに略規則的に配列してなり、
前記連続相の成分であるモノマーa1が重合してなるブロック鎖A1、及び前記柱状相の成分であるモノマーb1が重合してなるブロック鎖B1を少なくとも有する第1高分子ブロック共重合体と、
前記連続相の成分であるモノマーa2が重合してなるブロック鎖A2、及び前記柱状相の成分であるモノマーb2が重合してなるブロック鎖B2を少なくとも有し重合度が前記第1高分子ブロック共重合体と異なる第2高分子ブロック共重合体と、が少なくとも配合され、
前記高分子薄膜の膜厚をLとし、隣接する前記柱状相の平均中心間距離をrとした場合、次式の関係を満たしていることを特徴とする高分子薄膜。
IPC (5件)：
C08J 5/18
, C08L 53/00
, B32B 27/00
, G11B 5/65
, G11B 5/82
C08J5/18
, C08L53/00
, B32B27/00 Z
, G11B5/65
, G11B5/82
4F071AA22X
, 4F071AA33X
, 4F071AA75
, 4F071AF53
, 4F071AG28
, 4F071AH12
, 4F071AH14
, 4F071BB02
, 4F071BC01
, 4F071BC12
, 4F100AB11
, 4F100AK01A
, 4F100AK12A
, 4F100AK25A
, 4F100AL02A
, 4F100AT00B
, 4F100BA02
, 4F100EH46
, 4F100EJ15
, 4F100GB41
, 4F100JA07
, 4F100JM02A
, 4J002BP011
, 4J002BP012
, 4J002BP031
, 4J002BP032
, 4J002CH051
, 4J002CH052
, 4J002CP171
, 4J002CP172
, 4J002GS00
, 5D006BB07
出願人引用 (1件)
審査官引用 (8件)
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