半導体発光装置及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (8件)：鈴江武彦 , 河野哲 , 中村誠 , 蔵田昌俊 , 峰隆司 , 福原淑弘 , 村松貞男 , 橋本良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-201980
公開番号（公開出願番号）：特開2006-108635
出願日： 2005年07月11日
公開日（公表日）： 2006年04月20日
要約：

【課題】発光素子の表面にナノメートルサイズのメサ+円柱+円錐部を有する凸構造を形成し、発光効率特性を改善する。【解決手段】半導体発光素子の光取り出し面に複数の凸構造が形成された半導体発光装置であって、凸構造20は、光取り出し面から順に、屈折率勾配構造を成す円錐状のメサ部21、回折格子構造を成す円柱部22、屈折率勾配構造を成す円錐部23の3つの構造を有し、凸構造20の間隔が、発光波長の1/(外部媒質の屈折率+基板の屈折率)より大きく1倍以下の範囲であり、円柱部22の円相当平均直径はメサ部21の下底部の円相当平均直径の1/3から9/10倍の範囲である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体発光素子の光取り出し面に複数の凸構造が形成された半導体発光装置であって、前記凸構造は、前記光取り出し面から順に、屈折率勾配構造を成す円錐状のメサ部、回折格子構造を成す円柱部、屈折率勾配構造を成す円錐部の3つの構造を有し、前記凸構造の間隔が、発光波長の1/(外部媒質の屈折率+基板の屈折率)より大きく1倍以下の範囲であり、前記円柱部の円相当平均直径は前記メサ部の下底部の円相当平均直径の1/3から9/10倍の範囲であることを特徴とする半導体発光装置。

IPC (2件)：

H01L 33/00 , H01L 21/306

FI (3件)：

H01L33/00 B , H01L21/302 101B , H01L21/302 101C

Fターム (21件)：

5F004AA02 , 5F004BA04 , 5F004CA02 , 5F004CA03 , 5F004DA01 , 5F004DA04 , 5F004DA11 , 5F004DA23 , 5F004DA26 , 5F004DB19 , 5F004DB23 , 5F004EA03 , 5F004EA37 , 5F004EA38 , 5F004EB08 , 5F041AA03 , 5F041CA04 , 5F041CA12 , 5F041CA37 , 5F041CA74 , 5F041CA77

引用特許：

出願人引用 (9件)

発光素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-379576 出願人：株式会社東芝
半導体発光素子の製法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-108171 出願人：ローム株式会社
特開平4-042582

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