半導体装置とその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：須藤克彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-039295
公開番号（公開出願番号）：特開2002-246407
出願日： 2001年02月16日
公開日（公表日）： 2002年08月30日
要約：

【要約】【課題】バンプ電極表面の平坦化を図る。【解決手段】下層配線(2層配線)49を被覆する層間絶縁膜45に形成されるビアホール50を介して上層配線(3層配線)51がコンタクトされて成る半導体装置において、前記ビアホール50が、パッド部に構成される金バンプ電極53下以外の領域に形成されていることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

パッド部に構成されるバンプ電極下にビアホールが形成されていないことを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/60 , H01L 21/3205 , H01L 21/8234 , H01L 27/088 , H01L 29/78

FI (4件)：

H01L 21/92 602 N , H01L 21/88 T , H01L 27/08 102 D , H01L 29/78 301 S

Fターム (61件)：

5F033HH00 , 5F033JJ00 , 5F033KK00 , 5F033KK01 , 5F033RR04 , 5F033SS04 , 5F033SS13 , 5F033UU05 , 5F033VV07 , 5F033XX01 , 5F048AA05 , 5F048AB10 , 5F048AC01 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BA19 , 5F048BB05 , 5F048BB08 , 5F048BB12 , 5F048BC06 , 5F048BC07 , 5F048BC18 , 5F048BD00 , 5F048BD04 , 5F048BE03 , 5F048BE04 , 5F048BF00 , 5F048BG12 , 5F048DA25 , 5F140AA00 , 5F140AA25 , 5F140AA36 , 5F140AB03 , 5F140BA01 , 5F140BB13 , 5F140BE03 , 5F140BE07 , 5F140BE14 , 5F140BF04 , 5F140BF11 , 5F140BF18 , 5F140BG08 , 5F140BG12 , 5F140BG20 , 5F140BG32 , 5F140BG34 , 5F140BG37 , 5F140BG52 , 5F140BG53 , 5F140BH15 , 5F140BH17 , 5F140BJ01 , 5F140BJ04 , 5F140BK02 , 5F140BK13 , 5F140CB01 , 5F140CB08 , 5F140CC01 , 5F140CC03 , 5F140CC07 , 5F140CE05

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-141948 出願人：三洋電機株式会社
特開昭63-152144
多層パッドを具備した半導体素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-059315 出願人：三星電子株式会社

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