特許
J-GLOBAL ID：200903023689996871
膜形成用組成物、膜の形成方法および低密度化膜
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
白井 重隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-367061
公開番号（公開出願番号）：特開2001-181506
出願日： 1999年12月24日
公開日（公表日）： 2001年07月03日
要約：
【要約】【課題】 半導体素子などにおける層間絶縁膜として有用な、誘電率特性、吸水率特性に優れ、かつ空隙サイズが小さい、低密度化膜が得られ、しかも貯蔵安定性に優れる、膜形成用組成物を提供すること。【解決手段】 (A)?@Ra Si(OR1 )4-a で表される化合物、?ASi(OR2 )4 で表される化合物、および?BR3 b (R4 O)3-b Si-(R7 )d -Si(OR5 )3-c R6 c で表される化合物の群から選ばれた少なくとも1種のシラン化合物をアルカリ触媒の存在下で加水分解し、縮合した加水分解縮合物、ならびに、(B)沸点または分解温度が250〜450°Cである有機化合物、を含有する膜形成用組成物。
請求項（抜粋）：
(A)下記一般式(1)で表される化合物、下記一般式(2)で表される化合物、および下記一般式(3)で表される化合物の群から選ばれた少なくとも1種のシラン化合物をアルカリ触媒の存在下で加水分解し、縮合した加水分解縮合物、ならびにRa Si(OR1 )4-a ・・・・・(1)(式中、Rは水素原子、フッ素原子または1価の有機基、R1 は1価の有機基、aは1〜2の整数を示す。)Si(OR2 )4 ・・・・・(2)(式中、R2 は1価の有機基を示す。) R3 b (R4 O)3-b Si-(R7 )d -Si(OR5 )3-c R6 c ・・・・・(3)〔式中、R3 〜R6 は同一または異なり、それぞれ1価の有機基、bおよびcは同一または異なり、0〜2の数を示し、R7 は酸素原子、フェニレン基または-(CH2 )n -で表される基(ここで、nは1〜6の整数である)、dは0または1を示す。〕(B)成分;沸点または分解温度が250〜450°Cである有機化合物を含有することを特徴とする膜形成用組成物。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (37件)：
4J002BG052
, 4J002BG062
, 4J002BG132
, 4J002CF032
, 4J002CF092
, 4J002CG012
, 4J002CG042
, 4J002CH012
, 4J002CP021
, 4J002CP031
, 4J002CP081
, 4J002CP181
, 4J002CQ032
, 4J002GQ01
, 4J002GQ05
, 4J038CG002
, 4J038CH122
, 4J038CH142
, 4J038CH152
, 4J038CH192
, 4J038DD002
, 4J038DE002
, 4J038DF002
, 4J038DL031
, 4J038DL051
, 4J038DL071
, 4J038KA04
, 4J038KA06
, 4J038NA04
, 4J038NA17
, 4J038NA21
, 4J038NA26
, 4J038PA19
, 4J038PB09
, 4J038PC02
, 4J038PC03
, 4J038PC04
